界面Kagome晶格

偏析触发拓扑跃迁

利用溶质偏析在晶界处构建拓扑Kagome晶格，为多晶材料界面结构调控提供自下而上的新路径。

Yang, Peijun · Xie, Hongbo · Li, Shanshan · Jinbo, Zhu · Xiande, Ma · 金剑锋 · Pan, Hucheng · Ren, Yuping · 宗亚平 · 贾伟涛 · 秦高梧

Acta Materialia 2024

技术优势

界面结构可调控

通过调控溶质种类和偏析程度，可在晶界处选择性构建Kagome晶格，为界面工程提供直接手段。

原子尺度可观测

利用原子分辨率STEM可在真实晶界处直接成像Kagome结构，无需复杂间接推断。

形成条件明确

确定了触发界面Kagome晶格跃迁的压力-温度条件，为实验合成提供相图参照。

应用场景

• 镁合金晶界工程：在镁合金晶界处主动构筑Kagome结构，调控力学与功能性能。
• 自旋电子材料：利用Kagome晶格电子平带特性，探索自旋电子器件新材料。
• 拓扑材料：在界面上实现拓扑非平凡晶格，为拓扑物态研究提供新平台。
• 晶界结构表征：提供原子级晶界相变观测范例，指导复杂界面结构解析。