电子自发结晶并获拓扑保护
在莫尔超晶格中，电子在蜂窝势中形成三聚体分子并进一步二聚化成键，产生具有非平庸拓扑的维格纳分子晶体相位。
Hu, Tianyi · Zhang, Tingfeng · 刘冰 · 王征飞
ACS Nano 2025
在填充因子 ν=3 处，通过精确对角化和 Hartree-Fock 计算发现拓扑维格纳分子晶体，超越了以往低填充因子的限制。
拓扑维格纳分子晶体的形成表现为三聚体分子间的二聚化键增强，导致每个三聚体分子内的空穴电荷密度由一个峰分裂为三个峰。
拓扑维格纳分子晶体的非平庸拓扑由非零 Z₂ Berry 相标识，为验证拓扑性质提供了直接判据。
拓扑维格纳分子晶体还表现出分数填充的拓扑角态，表明其高阶拓扑特征。