Ce-Ga合金

室温抗氧

添加Ga并纳米化后形成连续富Ga扩散阻挡层,解决Ce室温灾难性氧化问题。

Taosha, Liang · Jiang, Yuefeng · Li, Hua Yao · Wang, Wei · 张庆华 · 张波

Journal of Materials Science and Technology 2023

具体参数

Ga含量
{'zh': '20', 'en': '20'} at.%
Ga临界浓度
{'zh': '75', 'en': '75'} at.%

技术优势

形成扩散屏障

富Ga层抑制Ce向外扩散,当Ga浓度达到75 at.%时界面反应停止。

进一步抑制氧化

纳米化使Ga分布更均匀,氧化后形成更连续的富Ga层。

应用场景