MoO3-x纳米线

缺陷诱导电荷再分布

含不对称缺陷的MoO3-x纳米线能显著增强N2分子的吸附与活化能力，提升光催化固氮效率。

Xinru, Yu · Peng, Qiu · Yongchao, Wang · He, Bing · Xiangran, Xu · Huiling, Zhu · Jian, Ding · 刘学琴 · 李珍 · 王洋

Journal of Colloid and Interface Science 2023

具体参数

固氮速率

200.35 µmol g−1h−1

技术优势

N2吸附活化更强

原子尺度上缺陷诱导的电荷重构显著提高了氮气的吸附和活化能力，直接提升固氮效率。

电荷分离更高效

不对称缺陷在纳米尺度上诱导的电荷再分布有效促进了光生电荷的分离，减少了复合损失。

制程简单

以甘氨酸为缺陷诱导剂，一步水热法即可制备含不对称缺陷的MoO3-x纳米线，无需复杂后处理。

应用场景

• 光催化氮还原：利用MoO3-x纳米线在光照下将N2直接还原为NH3，替代高能耗的Haber法。
• 氨合成：提供一种温和条件下合成氨的绿色途径，避免高温高压。
• 缺陷工程：通过不对称缺陷调控催化剂表面电荷分布，优化N2分子的吸附与活化。