分裂沟道双栅高压TFT

高压高电流兼备

分裂沟道增强散热，在提升开态电流的同时将击穿电压推高至464 V，避免传统双栅结构的热击穿限制。

Kong, Jiaquan · 李晓杰 · 刘川 · Ou, Hai · 佘峻聪 · 邓少芝 · 陈军

IEEE Transactions on Electron Devices 2023

参数信息

击穿电压

464 V

开态电流

61.60 μA

阈值电压

-1.0 V

亚阈值摆幅

0.38 V/dec

技术优势

击穿电压翻到464 V

分裂沟道增强了散热，抑制了高电流下的热击穿，击穿电压被推到464 V。

电流不因耐压下降

传统漏极偏移结构虽然耐压但开态电流低，本工作用双栅加分裂沟道同时保住了61.60 μA开态电流。

散热改了热击穿

实验证明高开态电流引起的热击穿是限制击穿电压的主因，分裂沟道通过增加散热面积解决了这个问题。

应用场景

• 微纳制造：为高压驱动电路提供既耐压又大电流的TFT开关，工艺兼容现有a-IGZO产线。
• 可穿戴医疗：用于可穿戴设备中驱动高压执行器（如微泵、电刺激），同时保持低功耗。
• 物联网与传感网：作为传感器节点中高压开关器件，支持更高电压传感器接口，无需外部分立元件。
• 精密仪器与测量：用于精密仪器中需要高压快速开关的模块，如高压脉冲发生器或电泳电源。