类非门2T存储单元

提高噪声容限

由一对具有相反“写-擦除”特性的共栅存储晶体管组成，作为分压器工作，产生二值电压输出，具有自增强噪声容限。

Zhao, Qiang · Wang, Hanlin · 倪振杰 · Liu, Jie · 李杰 · 杨方旭 · 李立强 · Lang, Jiang · 甄永刚 · 董焕丽 · Hu, Wenping

Advanced Materials 2024

技术优势

二进制电压可读存储状态，具有大噪声容限范围

不受器件非均匀性影响的噪声容限存储单元