CrNbMoTaW高熵合金涂层

封装后辐照阈值漂移降94%

晶格收缩提高晶核密度，增强高能电子散射，作为MOSFET封装硬化涂层显著抑制辐照引起的阈值电压漂移。

Wei, Wenjing · Hong, Yang · Xiaolei, Shi · 李洋 · Kai, Cui · 张天宇 · Jia, Xin · Jingyang, Li · 康红军 · 秦伟 · 吴晓宏

Materials Today Physics 2025

参数信息

阈值电压变化（封装器件）

0.26 V

阈值电压漂移降低幅度

94 %

技术优势

辐照漂移降94%

高能电子辐照后，封装MOSFET的阈值电压变化仅为0.26 V，而未封装器件为4.15 V，这意味着器件参数稳定性大幅提升。

工艺简单兼容

采用局部高能机械合金化制备涂层并涂覆于MOSFET表面，无需改动器件原有制造流程，即可实现封装硬化。

应用场景

• 深空探测电子器件：为深空探测电子器件提供抗高能电子辐照的封装涂层，避免阈值漂移导致失效。
• 抗辐照MOSFET：涂覆于MOSFET表面，将辐照引起的阈值电压变化降至0.26 V，提升抗辐照能力。
• 航天封装：作为一种高熵合金封装层，通过增强电子散射实现硬化，适用于航天级封装。
• 空间应用晶体管：用于空间应用的晶体管，抑制辐照引起的阈值电压漂移，延长在轨寿命。