各向异性无关阵列波导光栅

打破铌酸锂晶向限制

首次在X切薄膜铌酸锂上实现阵列波导光栅，通过无各向异性设计策略，突破材料本征各向异性对集成光分光器件的限制。

郭昌建 · Ruan, Ziliang · Chen, Gengxin · 戴道锌 · Zhong, Kangping · Zhang Gong

Light: Science and Applications 2024

参数信息

插入损耗

2.4 dB

串扰

-24.1 dB

技术优势

晶向不再是限制

通过消除各向异性影响，在原本无法工作的X切晶向上也能实现高性能阵列波导光栅。

损耗只有2.4 dB

最佳器件的插入损耗为2.4 dB，保证了低功耗和高信号质量。

串扰抑制到-24.1 dB

相邻信道间的干扰被抑制到-24.1 dB，提升多波长信号的分辨能力。

应用场景

• 光通信：作为波长路由器或复用/解复用器，提升光通信链路容量。
• 光子集成芯片：在单一铌酸锂芯片上集成更多光子功能，降低系统尺寸。
• 光谱传感：作为片上光谱分光器件，提高光谱测量的分辨率和稳定性。
• 波分复用系统：用作波分复用系统中的复用/解复用器，实现多信道并行传输。
• 光学生化传感：结合片上波导实现多波长探测，扩大生化传感的动态范围。