黑相γ-CsPbI₃薄膜

100 °C低温可制备

用晶格匹配的2D钙钛矿作模板，在远低于常规退火温度下获得黑相γ-CsPbI₃，使柔性衬底上的光电器件成为可能。

Junyu, Lin · Zuchong, Zhao · Wang, Yafei · Guo, Hao · Jiacai, Liao · Guo, Xiaohui · Tang, Gongbin · 邹涛 · 梁忠伟 · Ji, Ran · Wang, Meicong

ACS Applied Materials & Interfaces 2026

参数信息

响应度

1.06 × 10⁻⁵ A/W

探测率

7.53 × 10⁵ Jones

合成温度

100 °C

技术优势

无需高温退火

利用二维钙钛矿模板将 γ-CsPbI₃ 合成温度从常规的 180 °C 以上降到 100 °C，直接在低温下获得黑相薄膜。

柔性兼容

低温合成（100 °C）使 γ-CsPbI₃ 薄膜能够集成到柔性基底上，实现了柔性光电探测器。

成像功能

基于该薄膜的光电导探测器阵列展示了成像功能，可用于图像传感。

应用场景

• 柔性光电探测器：100 °C 低温合成使 γ-CsPbI₃ 能直接做在柔性基底上，用于可弯曲光电探测。
• 钙钛矿光电器件：低温工艺拓宽黑相 CsPbI₃ 的光电器件制造窗口，兼容更多衬底和工艺。
• 柔性电子：薄膜可在柔性基底上集成，为柔性电子提供高性能光敏层。