双电流源Vds测量电路

免预选、误差<1.5%

无需二极管预选即可补偿伏安特性不一致，为SiC MOSFET在线监测提供高精度通态压降测量。

Hui, Meng · Letian, Xiang · Luwei, Zuo · Fujun, Zheng · Zhou, Ze · Kang, Jianlong · 辛振 · 罗皓泽

IEEE Open Journal of Power Electronics 2023

参数信息

二极管正向压差

3.32 mV

技术优势

免去二极管预选

利用辅助电流源补偿二极管正向压差，无需筛选特性一致的二极管，简化生产流程。

应用场景

• SiC功率器件在线监测：在线监测SiC MOSFET通态电压，实时评估器件健康状态，免预选降低维护门槛。
• 功率半导体测试：提供高精度Vds测量，用于功率半导体特性测试，误差<1.5%，替代部分精密仪表。
• 电动汽车电驱状态监测：嵌入电驱系统监测SiC MOSFET压降，预警器件退化，提升车辆可靠性。
• 电力电子变换器健康管理：在变换器中在线测量通态电压，支持故障诊断与剩余寿命预测。