锗铟共掺杂SnSe纳米板

平均ZT 0.88，环境友好

溶液法合成的多晶SnSe纳米板，通过双掺杂和纳米结构实现超低晶格热导率与高热电优值。

唐国栋 · 陈光 · Gong, Yaru · Shihua, Zhang · Hou, Yunxiang · 李双 · Wang, Chong · Xiong, Wenjie · Zhang, Qingtang · Xue-Fei, Miao · 刘吉梓 · Yang, Cao · 李地

ACS Nano 2023

具体参数

峰值ZT

{'zh': '1.92', 'en': '1.92'}

平均ZT

{'zh': '0.88', 'en': '0.88'}

晶格热导率

{'zh': '0.19', 'en': '0.19'} W m⁻¹ K⁻¹

技术优势

峰值ZT高

通过Ge和In共掺杂提高态密度和载流子浓度，实现峰值ZT 1.92。

平均ZT高

在宽温域内维持高功率因子，平均ZT达0.88，适合实际发电应用。

晶格热导率极低

纳米板边界和晶格应变有效散射声子，使873 K时晶格热导率降至0.19 W m⁻¹ K⁻¹。

应用场景

• 热电发电器件：将温差直接转化为电能，为废热发电提供高性能材料。
• 余热回收：回收工业废热，提高能源利用效率。
• 温差发电：用于热电发电模块，将热能转化为电能。