WS₂-Si₃N₄纳米孔-银膜异质结

拉比劈裂318 meV

该异质结构同时利用表面晶格共振和类表面等离激元模式,在WS₂单层中实现低损耗、强约束的激子-光子耦合,为高性能光电器件提供新平台。

Li, Shulei · Fu, Deng · Huang, Lujun · Yatao, Zhang · 周丽丹 · 兰胜

Applied Surface Science 2025

具体参数

拉比劈裂
318 meV

技术优势

多模强耦合

异质结构同时激发表面横向波导模式、表面晶格共振和类表面等离激元模式,使它们与单层WS₂中的激子发生强耦合,从而显著增强光与物质相互作用。

强耦合指标

实验测得的拉比劈裂高达318 meV,远超单共振模式的典型值,验证了三振子框架下的强耦合机制。

低损耗高约束

结合Si₃N₄光子晶体平板的表面晶格共振与介质-Ag界面的类表面等离激元模式,同时获得低光学损耗和优异的场局域,有利于提升耦合效率。

应用场景