HfS₂/VO₂突触晶体管

高温环境可工作

基于HfS₂/VO₂异质结的光电子突触晶体管，在高温下从Type II异质结转变为肖特基结，仍保持高响应度和探测率，并成功模拟突触可塑性。

Le, Wang · Lin, Wang · Xiao-Yun, Ye · Xu, Xionghu · Shang, Liyan · Li, Yawei · Zhang, Jinzhong · Zhu, Liangqing · Hu, Zhigao

Rare Metals 2024

具体参数

激光下响应度

8.6 × 10³ A·W⁻¹

激光下探测率

1.26 × 10¹⁴ Jones

技术优势

模拟了PSC、STP到LTP的转变

在VO₂金属态下仍保持高响应度和探测率及突触特性稳定性