单层WSe₂晶体管

电流密度破百

解决了二维半导体p型器件长期面临的高接触电阻难题，实现无肖特基势垒的欧姆接触。

Li, Miaomiao · Xinyu, Zhang · Zimei, Zhang · 彭刚 · 朱志宏 · Li, Jia · 秦石乔 · Liu Xinfeng

Nano Research 2024

具体参数

室温开态电流密度

100 µA·µm⁻¹

接触电阻

12 kΩ·µm

场效应空穴迁移率

约 103 cm²·V⁻¹·s⁻¹

技术优势

开关比超过 10⁷