SiC MOSFET串扰抑制驱动电路

负压电平转换

通过负电压电平转换低阻抗支路，有效抑制串扰尖峰电压。

Zheng, Xiang · 杭丽君 · Zeng, Qingwei · Yan, Dong · Chen, Kejian · Yufan, Lai · Pingliang, Zeng

Zhongguo Dianji Gongcheng Xuebao/Proceedings of the Chinese Society of Electrical Engineering 2023

技术优势

保持开关速度

电路在抑制串扰的同时不降低开关速度，不会影响变换器性能。

等效模型指导设计

建立串扰抑制驱动电路等效模型，给出电容与串扰电压峰值的关系，为电路设计提供参考。

适应多种工况

在不同电压和电流工况下均能抑制串扰尖峰，适用范围广。

应用场景

• SiC MOSFET驱动：直接替代传统驱动电路，解决串扰问题。
• 桥式变换器：桥臂串扰抑制，提升变换器可靠性。
• 高频功率变换：高频下保持开关速度同时抑制串扰。