Ta/Pt/Co自旋轨矩三层膜

低阻尼高自旋轨矩

通过优化覆盖层厚度，在保持低磁阻尼的同时实现自旋轨矩效率的大幅提升。

Xu, Zhan · Wu, Shuo · Wenwen, Liu · 刘二 · 卞雷祥 · 徐锋 · Siang, Lew Wen

Journal of Physics Condensed Matter 2025

参数信息

自旋轨矩效率

0.199

技术优势

SOT效率大幅提升

通过优化覆盖层厚度，有效自旋轨矩效率达到0.199，有利于降低器件写入电流。

磁阻尼因子降低

随着覆盖层厚度增加，磁阻尼因子减小，有利于降低自旋翻转所需的能量。

应用场景

• 自旋电子器件：高SOT效率可降低写入电流，提升自旋电子器件能效。
• 磁随机存储器：低磁阻尼有助于降低写电流，适用于低功耗MRAM。
• 低功耗存储：高效SOT实现低功耗数据写入，契合低功耗存储需求。