Y/Ce掺杂AgSnO₂电接触材料

降银量不降抗电弧

通过钇或铈掺杂在降低银含量的同时增强界面结合，提升了抗电弧侵蚀性能。

王景芹 · Yuxuan, Wang · Yihong, Lv · 朱艳彩 · Ying, Zhang

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 2025

具体参数

银含量

{'zh': '88', 'en': '88'} %

银含量

{'zh': '85.5', 'en': '85.5'} %

技术优势

银含量降至85.5%

通过掺杂Y或Ce，在降低银用量的同时保持了材料性能，实现节约用银。

抗电弧侵蚀不减反增

Y掺杂显著提升了材料的抗电弧侵蚀能力，优于未掺杂的88%银含量材料。

应用场景

• 低压电器：替代高银触点，降低低压电器中电接触材料的成本。
• 电接触元件：提供更低银含量的触点方案，同时保持抗电弧性能。
• 继电器：用于继电器触点，延长寿命并降低银消耗。
• 开关设备：在开关设备中耐受电弧侵蚀，提升可靠性。