干涉集成量子存储器

噪声抑制80%

内建过剩噪声擦除器,通过破坏性干涉将存储效率提升至96.2%,同时抑制噪声至真空水平,超越无克隆极限。

Yu, Zhifei · Wu, Zeliang · 李雪洁 · Feng, Xiaotian · Huang, Wenfeng · 张可烨 · Yuan, Hua · 张卫平 · Chen L.-Q.

Physical Review Letters 2023

参数信息

噪声抑制
80 %
写入效率(增强后)
96.2 %
存储效率(排除噪声)
77 %
单光子级保真度
93.7 %

技术优势

噪声抑制80%

通过破坏性干涉将过剩噪声抑制至真空水平,存储过程几乎不引入额外噪声。

效率提升接近10%

干涉仪使写入效率从87%提高到96.2%,存储效率从70%提高到77%。

超越无克隆极限

单光子级保真度93.7%,显著高于无克隆极限,表明存储器能可靠保存量子态。

应用场景