低温合成BNNTs

850°C即可生长

引入碱金属化合物活化硼源，形成低熔点生长体系，使BNNTs合成温度降至850°C。

王英 · 张凯 · Ding, Liping · Wu, Liyun · Songfeng, E. · He, Qian · Wang, Nanyang · Hui, Zuo · Zhengyang, Zhou · 胡悦 · 张锦 · 姚亚刚

Nano-Micro Letters 2024

具体参数

合成温度

{'zh': '850', 'en': '850'} °C

技术优势

温度直降

引入碱金属化合物后，硼源活化不再依赖高温，合成温度从常规的1100–1500°C降至850°C。

体系稳定

密度泛函理论分子动力学模拟证实，低熔点体系在低温下保持液态，能与氮原子持续反应生成BN链。

应用场景

• 纳米材料：低温工艺减少能耗与设备成本，适合规模化制备纳米材料。
• 航空航天材料：高温合成常导致杂质，低温工艺可保持BNNTs结构，满足航空航天轻质高强需求。
• 先进复合材料：可直接获得高结晶度BNNTs作为增强相，提升复合材料力学与热性能。
• 储能材料：低温合成避免破坏BNNTs的绝缘与导热特性，适用于电池隔膜或导热填料。