抗辐射且高效自愈
通过钒的小原子尺寸效应，在级联碰撞中直接形成空位位错环，促进缺陷复合，抑制间隙环生长，实现抗辐射和低温退火自愈。
Wei, Guanying · Byggmästar, Jesper · 崔俊芝 · Nordlund, Kai · 任景莉 · Djurabekova, Flyura G.
Acta Materialia 2024
含V合金在2000 K退火5 ns后，约90%的辐照缺陷被消除，而纯W中只有不到20%，大幅提升材料在高温下的自修复能力。
含V合金在0.4–0.8 dpa的级联碰撞中直接产生空位位错环，避免了间隙环的不可控生长，从而降低肿胀倾向。
V的小原子尺寸使空位和间隙原子的迁移率趋于平衡，促进了二者的复合，因而阻止了间隙环的持续长大。
在Mo–Nb–Ta–V–W合金体系中，WTaV合金不仅抗辐照性能优异，而且具有低活化特性，适合核聚变应用。