IGZO薄膜晶体管

正阈值电压线性可调

在栅极介电层中插入超薄夹层,使IGZO TFT的正阈值电压可在宽范围内线性调节,且不牺牲亚阈值摆幅与迁移率,为三维集成提供器件基础。

Yan, Gangping · 75008110 · Tai, Lu · Chen, Yuting · Ma, Xueli · 项金娟 · 许高博 · Wang, Guilei · 殷华湘 · Zhao Chao

IEEE Electron Device Letters 2025

参数信息

阈值电压
+0.528 V
迁移率
12 cm²/V·s
亚阈值摆幅
84.7 mV/dec

技术优势

阈值电压线性可调

通过组合不同厚度的HfO₂和夹层类型,可将初始+0.064 V的阈值电压线性调制至+0.528 V,覆盖宽范围。

亚阈值摆幅和迁移率不退化

在实现最大正向阈值电压时,器件仍保持12 cm²/V·s的迁移率和84.7 mV/dec的亚阈值摆幅。

偏压应力稳定性提升

插入夹层后,器件的正负偏压应力稳定性得到提升,有利于实际应用中的可靠性。

应用场景