氦注入铜抗氧化层

抗热循环氧化

氦离子注入引入晶格缺陷，显著提升氧化层与铜基体的附着力，从而在200°C热循环中抑制氧化皮生长。

Cheng-Yu, Jia · 张胜华 · Jie, Cheng · Yang, Subing · Luo, Rui · Xiaonong, Cheng

Corrosion Science 2026

具体参数

循环氧化温度

{'zh': '200', 'en': '200'} °C

技术优势

氧化皮生长受抑制

在200°C循环氧化中，注入样品的氧化皮生长比未注入样品更慢。

氧化皮附着更强

注入引入的晶格缺陷通过提供铜阳离子和空位扩散路径、抑制界面空洞积累以及增加粗糙度来增强附着。

界面更致密

注入样品的氧化层/Cu界面比未注入样品更致密且呈晶态。

应用场景

• 先进电子封装：铜互连在热循环中易氧化，注入处理可延长封装寿命。
• 热管理组件：热管理部件如散热器表面抗氧化，维持导热性能。
• 高温防护涂层：为铜基底提供高温下的氧化防护，替代传统涂层。