准一维Ta2PdSe6

高迁移率太赫兹探测

强拓扑表面态与准一维链状结构协同，使载流子散射显著降低、各向异性突出，为高性能偏振敏感太赫兹探测提供理想的低维材料平台。

刘阳 · 王冬 · Hu, Zhen · Dong, Zhuo · Zhang, Yan · Keqin, Tang · Wang, Pengdong · 张俊荣 · Chen, Cheng · Li, Jie · Yu, Qiang · Wang, Junyong · Lin-Lin, Wang · 张凯

Nano Letters 2025

参数信息

载流子迁移率

>10⁴ cm²·V⁻¹·s⁻¹

响应度

>3.63 A·W⁻¹

噪声等效功率

7.4 pW·Hz⁻¹ᐟ²

响应速度

1.15 μs

光电流各向异性比

68.3

技术优势

高迁移率

准一维链状结构降低载流子散射，结合拓扑表面态，迁移率超过 10⁴ cm²·V⁻¹·s⁻¹，使探测器响应速度快。

响应速度快

探测器响应速度达 1.15 μs，适用于高速太赫兹检测。

高偏振敏感

准一维结构诱导强烈各向异性，光电流各向异性比达 68.3，可实现偏振分辨探测。

低噪声等效功率

在 0.28 THz 下噪声等效功率仅 7.4 pW·Hz⁻¹ᐟ²，灵敏度高。

应用场景

• 太赫兹探测器：高灵敏度、快速响应，适用于太赫兹探测。
• 低维材料光电探测器：准一维结构降低散射，提升探测性能。
• 偏振成像：强各向异性实现偏振分辨成像。
• 高速光通信：微秒级响应速度满足高速通信需求。