激光图案化MoS₂薄膜

接触电阻降三成

通过惰性气氛激光诱导1T'→2H相变，在溶液法MoS₂薄膜内实现微米级图案化相工程，可直接生成金属-半导体横向接触，用于无缝集成的二维电子器件。

Osamah, Alharbi · Gao, Lei · Bonn, Mischa · 杨晟 · Ricciardulli, Antonio Gaetano · Samorì, Paolo

Advanced Materials 2026

参数信息

迁移率提升倍数

10

开关比提升倍数

10

有效肖特基势垒高度降低

30 %

技术优势

接触质量提升

激光图案化的1T'-2H-1T'横向接触比常规Au-2H接触电荷注入更好，接触电阻显著降低。

势垒降低三成

有效肖特基势垒高度比常规Au-2H接触降低约30%，电子注入更高效。

器件稳定性好

采用激光图案化接触的器件迟滞减小，性能更稳定。

应用场景

• 二维电子器件：直接形成无缝金属-半导体横向接触，用于高性能二维晶体管和集成电路。
• 低维半导体器件：在低维半导体薄膜中实现局部相变，替代化学处理解决接触电阻问题。
• 柔性电子：溶液法薄膜适合柔性衬底，激光图案化接触可直接用于柔性器件制备。