热磁记忆分子晶体

高κ可切换介电

自发应变、自旋和介电性质在相变点协同切换，兼具高各向异性介电常数与磁双稳态。

Chen, Xuan · 张合 · Qian, Yin · 卫伟 · Xiao-Ming, Ren

Advanced Science 2025

参数信息

相变温度

233/224 K

技术优势

三相耦合开关

顺弹-铁弹相变同时切换自发应变、磁化强度和介电常数，一个刺激就能控制力学、磁性、电学三个通道。

高介电各向异性

阳离子位移极化和共轭阴离子的电子极化产生势垒层电容效应，介电常数显著提高且沿不同方向表现出明显差异。

热磁记忆效应

升降温磁矩状态不同，形成可重复的热磁滞回，适合用作温度记忆或磁开关器件。

应用场景

• 磁电耦合器件：一个相变同时开关磁性和介电状态，为磁电耦合逻辑或存储单元提供材料平台。
• 自旋电子学：磁双稳态和自旋-晶格耦合可让自旋状态受应力或温度调控，适合自旋开关或传感。
• 高κ介电材料：势垒层电容效应带来高介电常数，可替代传统无机高κ材料用于有机场效应管栅介质。
• 智能材料：应变、磁性、介电三通道在相变点协同响应，适合做多信号驱动的智能传感与执行器。