ZnCdS/ZnS量子点

产氢速率快25倍

利用浅能级缺陷与界面电场协同作用,将载流子临时存储并定向输运至表面活性位点,大幅提升光催化产氢效率。

Xiang, Liu · Shizhe, Cao · Li, Danni · Weizi, Jiang · Deheng, Chen · Wensong, Wang · Ying, Tian · Li, Shenjie · 陈艳艳

Solar RRL 2026

参数信息

光催化产氢速率
51.65 mmol·g⁻¹·h⁻¹
性能提升倍数
25
循环保持率
80 %
浅能级缺陷位置
0.26 eV
ZnCdS 带隙
2.56 eV
ZnS 壳层覆盖率
20 %

技术优势

载流子传输有序化

ZnS 壳层与 ZnCdS 核之间的带阶形成内建电场,打破各向同性迁移,将电子定向驱往表面活性位点。

抑制非辐射复合

表面浅能级缺陷(导带下 0.26 eV)作为临时存储位点,弱电子束缚减少了非辐射复合损失。

稳定性有保障

优化样品五次循环后仍保持约 80% 产氢活性,显示良好的运行稳定性。

应用场景