立方砷化硼有源层

晶格匹配可调带隙

以立方砷化硼为有源层构建BAs-III-V平台，可在GaAs与InP衬底上实现此前无法制备的1.55 µm激光器和3 µm探测器。

Ren, Wuyang · Yongchun, Zhou · Xuhao, Zhang · 任翱博 · Shen, Kai · Cheng, Keming · 孙勇 · Qin, Jun · Tong X. · Li, Chuang · Guo, Daqian · Tian, Fei · 巫江

Advanced Materials 2026

具体参数

带隙预测平均绝对误差
{'zh': '0.0251', 'en': '0.0251'} eV
表面发射激光器波长
{'zh': '1.55', 'en': '1.55'} µm
光电探测器波长
{'zh': '3', 'en': '3'} µm

技术优势

带隙预测准

物理增强深度神经网络对带隙的平均绝对误差仅0.0251 eV，可快速筛选目标衬底与带隙组合。

突破晶格匹配限制

通过提取BAs晶体结构信息寻找晶格匹配的BAs-III-V组合，使在GaAs上制备1.55 µm激光器、在InP上制备3 µm探测器成为可能。

实现全新器件

设计出此前无法实现的1.55 µm表面发射激光器（GaAs衬底）和3 µm光电探测器（InP衬底），性能优异。

应用场景