AlScN/二维异质结光电忆阻晶体管

感存算一体

利用AlScN中铁电畴的光调控重构，在CMOS兼容工艺下实现光刺激历史与电子动力学直接关联的非易失性光电忆阻器件。

Fei, Xiao · Dongxin, Tan · 罗拯东 · Zhang, Dawei · 甘雪涛 · 储著飞 · 雪飞 · 夏银水 · Liu, Yan · 74227950 · 韩根全

Science Bulletin 2026

技术优势

CMOS兼容

器件可在BEOL热预算内制造，可直接集成到硅基CMOS工艺线。

非易失存储

铁电场效应晶体管表现出非易失性电子存储特性，断电后数据保持。

光调忆阻动态

通过AlScN层中铁电畴的光调控重构，光刺激历史直接关联短期/长期忆阻行为。

线性光响应解码

光响应电流对光强呈线性且非易失依赖，可用于光学信息解码。

应用场景

• 神经形态视觉：直接作为神经形态视觉传感器，模拟人类视觉记忆。
• 智能传感器：集成感存算，实现智能光信息处理。
• 低功耗器件：非易失存储降低静态功耗。
• 光电集成：BEOL兼容工艺便于与硅基光电器件集成。