1 MHz 损耗仅 266.6 kW·m⁻³
纳米晶体积分数首次超过90%，在MHz高频下实现与高温高压工艺相当的低损耗，为芯片电感提供高效磁芯材料。
Shen, Jibiao · Wang, Bin · Rao, Ziyuan · Cheng, Yao · Zesheng, Zhang · Wang, Bingxing · Tian, Yong · Cai, Lingwen · Bao, Daxin · Wang, Guodong
Acta Materialia 2026
采用超长等温固态相变策略，由铜团簇诱导异质形核，让粉末内部几乎完全转变为纳米晶。
纳米晶结构通过磁耦合效应降低涡流损耗，并稳定磁畴壁运动，使1 MHz下损耗低至266.6 kW·m⁻³。
700 MPa、200°C的温和条件就能达到常规1000 MPa、400°C工艺的性能，显著节省能耗和设备要求。
采用该材料的芯片电感在电路中实现了更高的效率，证明其适用于下一代高频小型化电子器件。