Mg基热电半导体

环保高功率因子

两种无毒镁基化合物,凭借本征低晶格热导和拓扑声子特征,在p型掺杂下实现高热电优值,为替代稀有/有毒热电材料提供新选择。

Meilin, Yuan · 董兴安 · Xun, Liu · 王锐 · Wu, Xiaozhi · Jin, Xin · 余鹏

Inorganic Chemistry 2025

参数信息

晶格热导率
10.8 W m⁻¹ K⁻¹
晶格热导率
7.1 W m⁻¹ K⁻¹
功率因子
1.96 × 10-5 W K⁻² cm⁻¹
功率因子
6.65 × 10-5 W K⁻² cm⁻¹
热电优值(ZT)
0.41
热电优值(ZT)
1.31

技术优势

不含稀有有毒元素

组成元素为常见的镁、锡、磷、砷,用砷替代锑仍保持热电性能,摆脱了对 Te、Pb 等战略稀缺元素的依赖。

本征低晶格热导

声子谱中存在对称性保护的拓扑特征,使声子群速度提升,但增强的声子散射最终压制了热输运,300 K 时 MgSnAs2 的 κL 低至 7.1 W m⁻¹ K⁻¹。

功率因子超高

p 型掺杂下 MgSnAs2 在 800 K 的功率因子达 6.65×10⁻⁵ W K⁻² cm⁻¹,超过了多数镁基热电材料,直接支撑高 ZT。

预测 ZT 破 1.3

理论计算给出 MgSnAs2 在 800 K 的 ZT 为 1.31,接近实用化门槛,而该材料体系尚未被实验充分开发,留有优化空间。

应用场景