In₂S₃/C₃N₄异质结

无共催化剂产氢

两种还原型半导体构建的异质结,通过独特的电子传输路径加速电荷分离,无需共催化剂即可高效产氢。

刘彦平 · Xiangdong, Li · Li, Zhigang · Jigen, Chen · Fang, Baizeng

Journal of Alloys and Compounds 2026

具体参数

产氢速率
414.5 μmol g⁻¹ h⁻¹

技术优势

无需共催化剂

异质结本身即可高效产氢,省去贵金属共催化剂,降低成本并简化反应体系。

电荷分离更快

独特的电子传输路径从 C₃N₄ 转移到 In₂S₃,加速空间电荷分离并抑制复合。

应用场景