GaAs HBT功率放大器芯片

温补偏置抑自热

采用温度补偿自适应偏置电路，抑制HBT自热效应，保证高线性度。

Hainan, Zhang · Huan, Zhang · 范书瑞

2024

参数信息

饱和输出功率

37.5 dBm

效率

41 %

误差矢量幅度

4 %

相邻信道功率比1

-30 dBc

相邻信道功率比2

-40 dBc

技术优势

自热被抑制

温度补偿自适应偏置电路有效抑制HBT自热效应，避免因工作温度升高导致的线性度恶化。

谐波被抑制

输出匹配电路经过优化，抑制谐波分量，从而降低相邻信道功率比。

裸片集成更灵活

采用未封装裸片，输入输出匹配通过片外基板实现，减小芯片面积，便于后期调试。

应用场景

• 移动通信系统：为移动通信系统提供高线性度功率放大，满足信号质量要求。
• 射频前端：作为射频前端核心功率放大器件，直接集成到发射链路。
• 功率放大器件：替代传统功率放大器件，在保证线性度的同时降低自热影响。