a-IGZO薄膜晶体管

抗辐照退化

研究揭示不同偏置下总剂量效应退化机制，提出通过优化缓冲层和钝化层提升抗辐照性能的晶体管设计。

Wang, Jianjian · Yan, Gangping · Bi, Jinshun · Majumdar, Sandip · Ma, Yue · 许高博

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 2025

技术优势

指出最薄弱偏置

负偏置下电场最强，界面陷阱俘获空穴最多，器件退化最显著，为实验设计提供重点。

给出简单优化方案

适当减薄SiO2缓冲层并选用替代钝化材料即可降低辐照俘获概率，无需重新设计器件。

支撑空间应用

研究结果为a-IGZO TFT在空间辐照环境中的应用奠定基础，提供退化机理依据。

应用场景

• 空间电子器件：通过明确负偏置下界面陷阱退化主因，指导卫星电路用TFT的加固设计。
• 辐射环境下医用器件：可移植至放疗设备或核医学环境中，延长晶体管寿命与可靠性。
• 抗辐照半导体工艺：提供减薄缓冲层和更换钝化层的具体工艺方向，提升本征抗辐照能力。
• 微纳制造：优化的层结构与厚度可直接融入现有a-IGZO TFT制程，无需额外设备。