GaSe单晶

均匀延伸率超40%

通过层间协调滑移实现应变硬化，克服范德华半导体的脆性局限，为柔性电子提供新可能。

Zheng, Sikang · 杨小龙 · Zhang, Jianfei · Zhang, Jiabao · Li, Jingwei · 周小元 · 张冰 · 王立华 · 张大梁 · Pan, Yu · Li, Fan · Zhou, Zizhen · 王少峰 · Kaile, Chen · Linlin, Wei · Wang, Menglong · 李未 · 吴磊 · Guo, Yizhong · Ma, Yan · 牛晓滨 · 韩广 · 卢旭 · 王国玉 · 韩晓东

Nature Materials 2026

具体参数

均匀拉伸延伸率

40 %

技术优势

均匀延伸超40%

在偏离[0001]晶带轴加载时，GaSe单晶的均匀拉伸延伸率超过40%，远超普通范德华材料。

应变硬化显著

通过层间协调滑移抑制应变局域化，实现显著的应变硬化。

机制具普适性

在InSe和SnSe2中观察到类似的拉伸延展性和应变硬化行为，表明该机制具有普适性。

应用场景

• 柔性电子器件：提供可承受大形变的半导体材料，替代脆性范德华半导体。
• 可拉伸电子：利用超40%均匀延伸率，实现可拉伸电子器件的关键材料。