Ga2O3/GaN PN结光电探测器

双面多波段探测

该探测器在自供电条件下实现正反向电流极性切换，可同时探测不同紫外波段，且响应速度快。

施政 · 高翔 · Xie, Mingyuan · Tianlong, Xie · Zhenxing, Li · 赵海涛 · 王永进 · 高绪敏

ACS Applied Materials & Interfaces 2025

参数信息

响应度

9.18 mA/W

响应度

-2.99 mA/W

最大传输速率

40 kbps

最大传输速率

30 kbps

技术优势

成本更低

在硅基GaN上生长β-Ga2O3，替代昂贵的原生Ga2O3晶圆，降低衬底成本。

双面探测

去除背面Si衬底形成悬浮膜PN结，使光可从正面和背面入射，且不同波长下电流极性反转，实现多波段识别。

响应更快

小型叉指电极间距结合扩展的载流子收集长度，在自供电条件下提高响应度、探测率和响应速度。

应用场景

• 紫外通信：用作紫外通信接收端，实现40 kbps数据传输，适合非视距保密通信。
• 光电探测：双波段探测且电流极性随波长反转，可区分UVC/UVA信号。
• 高分辨率成像：高响应度和探测率支持弱紫外信号成像，适用于高分辨率紫外成像阵列。
• 宽禁带半导体器件：基于Ga2O3/GaN异质结，示范了宽禁带器件在紫外波段的性能。