近红外高响应度
200 °C低温沉积的MCNO薄膜,构建MSM结构后获得885 nm近红外探测的优异光响应。
杨威嘉 · Liu, Lihua · Jijin, Shi · Liang, Chuangming · Zhao, Jingjing · 合性 · 宋伟东 · 罗坚义 · 王海燕
Infrared Physics and Technology 2024
200 °C生长的薄膜具有最大的TCR值−6.42%/K,远优于高温生长的薄膜,从而提升了光响应。
在885 nm光照、−15 V偏压下,比探测率达到3.74×10⁸ Jones,响应/恢复时间仅31.2/20.4 ms,实现灵敏且快速的光探测。
200 °C器件的开关比达13.15,能够在885 nm近红外信号下有效区分明暗状态。