反铁磁VYNF₂ MXene

稳健能带 谷分裂

化学改性将VYN从铁磁转变为反铁磁，增强热稳定性并引入面外压电响应。

Gao, Qiang · Lin, Tingting · 王威 · 史桂梅 · Jin, Xin · Shen, Chen

Journal of Materials Chemistry C 2025

技术优势

无反铁磁杂散场

VYNF₂ 的反铁磁序消除净磁矩，避免杂散场干扰相邻器件。

增强热稳定性

化学改性增强结构稳定性和磁性热稳定性，使磁序在热扰动下更持久。

面外压电响应

VYNF₂ 的不对称电荷和化学键产生内建场，导致可观的面外压电响应，可用于机械-电耦合器件。

带隙稳健

带隙对应变不敏感，有利于在机械应力下保持电子性能。

应用场景

• 自旋电子器件：无反铁磁自旋阀和逻辑器件，消除杂散场串扰。
• MXene功能化：化学功能化将 VYN 转变为反铁磁，提供磁调控新途径。
• 压电器件：利用面外压电响应实现机械-电耦合，用于传感器或能量收集。
• 反铁磁存储：无反铁磁序可构建高密度、抗磁干扰的存储单元。
• 谷电子学：利用 K/−K 谷分裂实现谷自由度编码信息。