硼桥螺旋共轭分子

窄带近红外发光

通过硼诱导的配位增强电荷转移与螺旋扭曲骨架,实现无肩峰的窄带近红外发光。

Dong, Jiaqi · Lingjuan, Chen · 冯晴亮 · 杨登涛

Angewandte Chemie - International Edition 2024

参数信息

半峰宽
35 nm
半峰宽(能量表示)
0.08 eV
光致发光量子产率
80 %
最大发射波长
753 nm

技术优势

发射光谱无肩峰

硼诱导的配位增强电荷转移(CE-CT)与螺旋扭曲骨架协同作用,抑制了振动肩峰,实现窄带近红外发射。

高量子产率

光致发光量子产率高达 80%,表明该材料在近红外区域具有高效发光能力,有利于提高器件效率。

发射波长可调

通过改变浓度可使发射波长红移至 753 nm,且不同构型异构体表现出相似的光物理性质,便于调节发光颜色。

应用场景