二维CrI₂/NbSe₂异质结

边缘束缚态与零能峰

单层CrI₂外延生长于NbSe₂超导体上，在边缘和缺陷处观测到鲁棒的能隙内电子态，为拓扑量子计算提供了新的材料平台。

Li, Peigen · Zhang, Jihai · Di, Zhu · Chen, Cuiqun · Yi, Enkui · 沈冰 · 侯玉升 · Yao Mingfan · 姚道新 · Guo, Donghui · 钟定永

Nano Letters 2024

技术优势

单层CrI₂纳米片在NbSe₂衬底上外延生长

首次在二维磁性-超导异质结中观测到边缘能隙态和缺陷诱导零能峰

外部磁场诱导的磁通涡旋打破NbSe₂的三重旋转对称性

现象学模型暗示存在偶数陈数的拓扑手性边缘态