内量子效率更高
通过消除终端In组分梯度区并引入AlN低温插入层，同时减弱量子限制斯塔克效应并增强载流子局域化，从而提升InGaN量子阱的光致发光性能。
时凯居 · Wang, Chengxin · 李锐 · Jianyang, Deng · Haofeng, Sun · 徐现刚 · 冀子武
Micro and Nanostructures 2023