SnZrS₂Se₂超晶格

ZT达2.57

通过轨道解耦继承集成两组分电子结构优势,同时增强非谐性散射声子,在900 K下实现高热电优值。

Song, Pei · 唐树伟 · Pengfei, Zhang · Peng, Ai · Guowei, Wang · Yilong, Xiao · Bai, Shulin · Wan, Da · Zhanpeng, Xu · 孙昊 · Amondulloi, Burhonzoda

Journal of Energy Chemistry 2026

参数信息

热电优值
2.57
晶格热导率
0.5–0.69 W/m/K
带隙
0.98 eV

技术优势

带隙降到0.98 eV

通过轨道分离的能带继承机制,SnZrS₂Se₂超晶格有效整合SnS₂和ZrSe₂的电子结构优势,降低带隙,从而在低载流子浓度下实现高效载流子激发。

声子散射增强

弱层间范德华相互作用和轻微晶格失配显著增强晶格非谐性,促进多尺度声子散射,从而降低晶格热导率。

ZT达2.57

结合多载流子散射机制的电子输运计算,n型掺杂下900 K时最大ZT达到2.57,展示出优异的热电性能。

应用场景