无蚀刻InSe光腔

光致发光增200倍

在InSe上无蚀刻构建连续谱束缚态光腔，选择性放大激子发射与倍频，为近红外光源提供新增益路径。

Chen, Wenduo · Zhu, Song · Cui, Jieyuan · Wang, Chongwu · Wang, Fakun · Dai, Mingjin · Sang Hoon, Chae · Liu, Zheng · Wang, Qijie

Advanced Materials 2025

具体参数

光致发光增强

200 倍

二次谐波增强

400 倍

技术优势

可在室温下放大激子-激子散射