eGaN串扰抑制栅极驱动器

正负串扰同抑

该驱动器利用负压电容与低阻抗栅极回路，能够同时抑制eGaN HEMT的正向与负向串扰，且控制简单、易于集成，适用于高频桥式电路。

Longsheng, Zhang · 王凯宏 · Shilong, Guo · 邾玢鑫

Journal of Low Power Electronics and Applications 2025

参数信息

正向串扰尖峰电压降低量

2.03 V

负向串扰尖峰电压降低量

1.54 V

技术优势

正负串扰都能抑制

通过构建负压电容抑制正向串扰，通过降低栅极回路阻抗抑制负向串扰，无需额外控制电路。

控制简单易集成

驱动器采用电容和低阻抗路径等无源方法实现串扰抑制，无需可编程控制器或复杂时序，便于集成到功率模块中。

降低开关损耗

关断速度提升直接降低关断损耗，提升变换器效率。

应用场景

• GaN功率器件驱动：为eGaN HEMT提供可靠的栅极驱动，避免串扰导致的误开通或负压击穿。
• 高频桥式电路：解决高频桥式电路中串扰限制开关速度的问题，提升电路工作频率。
• 开关电源：提升开关电源中GaN器件的开关速度并降低损耗，提高功率密度。
• 电机驱动：抑制电机驱动桥臂串扰，防止死区时间不足导致的直通风险。