Al掺杂YIG铁氧体

高介电窄线宽

不用牺牲磁性能就能提高介电常数,有利于微波器件小型化。

Wen, Dandan · Jingbo, Zhang · Andrei, Kulikov · Cui, Jiwen · Zhigang, Chen · 王子云 · Qian, Zhang · 郭俊启 · Li, Renpu

Ceramics International 2025

参数信息

FMR线宽
336.1 Oe
饱和磁化强度
1291.489 G
介电常数
18.25

技术优势

介电常数更高

掺杂 Al3+ 使介电常数提升至 18.25@100 MHz,有利于缩小微波器件尺寸。

线宽更窄

x=0.06 时 FMR 线宽达到最窄的 336.1 Oe,降低微波损耗。

应用场景