插层自组装二维室温铁磁体

300 K以上长程有序

通过范德华限域内插层组装,实现分子基二维铁磁体在室温下的长程磁有序,为二维自旋电子学提供新平台。

刘阳 · Lv, Haifeng · Chen, Xiaomeng · Xu, Ke · 郭宇桥 · Guoliang, Hu · Tai, Xiaolin · Wang, Minghao · 林岳 · 武晓君 · 谢毅 · 吴长征 · ORecord 科技单元

Journal of the American Chemical Society 2026

参数信息

磁有序温度
>300 K
负磁阻
-5.7 %

技术优势

室温以上稳稳磁性

长程铁磁有序温度超过300 K,意味着器件无需低温制冷,可直接在环境条件下工作。

抵抗磁场能力不弱

在300 K、9 T下仍保持−5.7%的负磁阻,表明自旋有序在室温下依然稳定,适合磁传感器或磁存储读头。

不只一种材料,套路可复用

该插层限域组装策略适用于多种金属性过渡金属二硫化物,为分子工程二维磁性材料提供了通用平台。

应用场景