银纳米盘阵列
带电双激子发光增强114倍
与单层WS₂耦合的银纳米盘阵列，通过Fano共振显著增强带电双激子的光致发光并缩短辐射复合寿命，可用于发光器件与激光器。
Huiqiang, Geng · Liu, Qirui · Tang, Yuxiang · Wei, Ke
Photonics 2024
参数信息
- 带电双激子光致发光增强倍数
- 114.3
- 激子光致发光增强倍数
- 2.2
- 三激子光致发光增强倍数
- 16.4
- 带电双激子辐射复合寿命缩短倍数
- 15
技术优势
发光增强114倍
带电双激子的光致发光在异质结构区域增强约114.3倍，比其他激子态高出一个量级以上，为高性能发光器件提供了强信号源。
寿命缩短15倍
共振耦合将带电双激子的辐射复合寿命降低约15倍，加快了发光响应速度，有利于高速光电器件。
应用场景
- 量子光源：利用带电双激子的高效发光和短寿命，制备高亮度单光子或纠缠光子源。
- 纳米激光器：通过强场局域和快辐射复合，降低纳米激光器的阈值并提高调制速度。
- 等离激元器件：银纳米盘阵列作为等离激元谐振腔，主动调控激子发光与寿命。
- 二维材料光电子学：为二维材料中多体激子效应的光电调控提供纳米腔耦合方案。