非钙钛矿CsPbI₂Br厚膜

暗电流1.34 nA/cm²

室温正交相钙钛矿厚膜，实现超低暗电流，提升X射线探测器性能。

Ting, Han · Xue, Zhiyu · Qin, Haiqing · 覃爱苗 · 向勇 · Wang, Xinyu · 胡潇然 · Gong, Jue · 李真林

Advanced Optical Materials 2024

具体参数

禁带宽度

{'zh': '2.30', 'en': '2.30'} eV

电阻率

{'zh': '2.42', 'en': '2.42'} Ω cm

暗电流

{'zh': '1.34', 'en': '1.34'} nA cm⁻²

相稳定性

{'zh': '80', 'en': '80'} days

技术优势

暗电流极低

高电阻率厚膜直接抑制漏电流，无需额外界面工程。

80天不劣化

正交相稳定性经80天验证，适合长时间部署。

直接阵列集成

已成功与TFT阵列集成实现64×64矩阵成像，工艺兼容。

应用场景

• 低剂量X射线成像：用超低暗电流材料实现更低辐射剂量的清晰成像。
• 光电探测器：高电阻率厚膜降低噪声，提升弱光探测能力。
• X射线平板探测器：已验证与TFT阵列集成，形成64×64矩阵探测器。
• 辐射探测：低检测限53 nGy_air s⁻¹适用于极弱辐射信号检测。