HZO/α-In₂Se₃叠层铁电场效应管

10 ns超快写入

铁电介质与二维铁电半导体叠层集成，实现超高速写入和大存储窗口的非易失存储器件。

Huo, Jiali · Zhang, Zhaohao · 张亚东 · Zhang, Fan · Yan, Gangping · Tian, Guoliang · Xu, Haoqing · Guohui, Zhan · 许高博 · 张青竹 · 殷华湘 · Wu, Zhenhua

IEEE Transactions on Electron Devices 2023

参数信息

写入速度

10 ns

技术优势

写入极快

增强的横向电场和HZO层快速极化翻转使写入速度达到10 ns。

应用场景

• 非易失存储器：用于构建高速非易失存储单元，替代传统闪存。
• 铁电存储器：提供大窗口铁电存储，提高读写可靠性。
• 嵌入式存储器：集成到逻辑芯片中作为嵌入式存储，提升数据访问速度。
• 低功耗逻辑电路：利用铁电负电容效应降低逻辑电路功耗。
• 神经形态计算：利用铁电极化多态模拟突触权重，用于神经形态计算。