硼掺杂多孔石墨烯

34.2 dB 电磁屏蔽

激光直写构建三维多孔结构，硼掺杂引入极化中心，实现吸收主导的轻质高效电磁屏蔽。

Xiaofeng, Chen · Zhenzheng, Qi · Kang, Yiyu · Lei, Zhang · Zhang, Chi · Yuan, Xinqiang · Xie, Yunchao · 董红星 · 张龙

Carbon 2026

具体参数

电磁屏蔽效能

{'zh': '34.2', 'en': '34.2'} dB

方阻

{'zh': '5.9', 'en': '5.9'} Ω/sq

吸收贡献占比

{'zh': '58.9', 'en': '58.9'} %

技术优势

吸收主导屏蔽

吸收贡献占总屏蔽效能的 58.9%，减少反射造成的二次电磁污染。

工艺简单可规模化

激光直写一步制备三维多孔结构，无需复杂后处理，适合大面积生产。

轻质超薄

薄膜形态轻质超薄，可集成于空间和重量受限的设备中。

应用场景

• 电磁屏蔽材料：提供轻质高效的电磁屏蔽，适用于对重量敏感的电子设备。
• 可穿戴电子：柔性薄膜可贴附于穿戴设备，屏蔽电磁干扰。
• 5G设备电磁防护：在 X 波段实现 34.2 dB 屏蔽，满足 5G 设备电磁防护需求。
• 柔性电路：激光直写可与柔性电路集成，同时提供电磁屏蔽。
• 航天器电子屏蔽：轻质且耐腐蚀，适用于航天器电子设备的屏蔽。