黑硅晶圆级自封装MEMS红外发射器

500°C下寿命可达10年

内置黑硅纳米结构增强发射率，并采用晶圆级真空封装确保在高温空气中长期可靠运行。

李志伟 · Hongliang, Zu · Chen, Hongyu · Liu, Minghao · 伞海生 · 于大全

Microsystems and Nanoengineering 2026

具体参数

辐射强度
{'zh': '172', 'en': '172'} mW/Sr/µm
3 dB 带宽
{'zh': '52', 'en': '52'} Hz
表面温度
{'zh': '400', 'en': '400'} °C
预估寿命
{'zh': '10', 'en': '10'} years

技术优势

能在大气中活十年

加热丝和测温元件被真空封装在玻璃腔室内，与外界氧气隔离，从根本上消除了高温氧化导致的快速退化。

黑硅让辐射更强

在硅膜背面制备黑硅纳米结构，有效增强红外光发射率，使同功率下辐射强度显著提高。

晶圆级工艺量产友好

整个器件采用晶圆级MEMS加工和阳极键合技术制造，无需逐个封装，具备批量生产能力。

应用场景